威兆半导体推出的VSP003N10HS-K是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN5060X 封装，适配中压超大功率电源管理、DC/DC 转换器等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 3.0mΩ，中压场景下传导损耗极致低；
- 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，栅极限制）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 80A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 51A，承载能力极强；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：320A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时超大电流冲击。
二、核心特性
- VeriMOS® II 技术：兼具超低导通电阻与快速开关特性，搭配优化设计，大幅降低开关损耗；
- 高可靠性：通过 100% 雪崩测试、100% 栅极电阻测试，单脉冲雪崩能量达 620mJ，抗冲击能力极强；
- 高功率密度：PDFN5060X 封装适配高集成度、大功率密度电路设计，散热性能优异；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
100 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±20 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
50 | A |
| 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，栅极限制） | \(I_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 80；\(T=100^\circ\text{C}\): 51 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
320 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | \(E_{AS}\) |
620 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 65；\(T=100^\circ\text{C}\): 26 |
W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{STG}\) |
-55~+150 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：PDFN5060X 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷；
- 典型应用：
- 100V 级中压超大功率 DC/DC 转换器；
- 储能系统、工业设备的中压超大电流负载开关；
- 高功率电源管理系统的核心功率开关。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）
